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| 气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H 薄膜特性影响的研究 | |
| 作者姓名： | 张晓丹 朱锋 赵颖 侯国付 魏长春 孙建 张德坤 任慧志 薛俊明 耿新华 熊绍珍 |
| 作者单位： | 南开大学光电子所,天津,300071 |
| 基金项目： | 国家"973"研究项目(No.G2000028202,G2000028203);教育部重点项目(No.02167)和"863"项目(No.2002303261)资助 |
| 摘 要： | 本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料. |
| 关 键 词： | 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 傅立叶变换红外光谱 X射线衍射 微区喇曼光谱, |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)03-0414-05 |
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