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热辅助磁盘探针存储的研究
引用本文:章黎,祖小涛.热辅助磁盘探针存储的研究[J].物理学报,2006,55(8):4271-4275.
作者姓名:章黎  祖小涛
作者单位:电子科技大学应用物理系,成都 610054
基金项目:本研究工作主要是在美国Carnegie Mellon大学的数据存储中心完成的,磁膜由荷兰Twente大学的材料工程研究中心提供,在此一并致谢.
摘    要:描述了一种热辅助磁盘存储技术,该技术可应用于未来的高密度磁盘存储.记录介质是一种CoNi/Pt多层膜,它可用作垂直模式的磁记录介质.使用扫描隧道显微镜(STM)产生的隧道电流作为热源对磁膜进行局部加热.隧道电流随着加在STM针尖与磁膜之间的脉冲电压幅值的增大而增大.实验结果显示了圆形记录点在磁膜上生成,记录点尺寸与电压值相关,阈值电压为4V左右.当电压高于阈值时,记录点尺寸随着电压的增大而增大,平均尺寸为170nm;当电压低于阈值时,未发现记录点.一个简单的模型解释了以上实验现象. 关键词: 扫描隧道显微镜 热辅助磁盘存储技术 高密度磁盘存储

关 键 词:扫描隧道显微镜  热辅助磁盘存储技术  高密度磁盘存储
文章编号:1000-3290/2006/55(08)/4271-05
收稿时间:1/4/2006 12:00:00 AM
修稿时间:4/3/2006 12:00:00 AM

Study of thermally assisted magnetic probe recording on perpendicular media
Zhang Li,Zu Xiao-Tao.Study of thermally assisted magnetic probe recording on perpendicular media[J].Acta Physica Sinica,2006,55(8):4271-4275.
Authors:Zhang Li  Zu Xiao-Tao
Institution:Department of Applied Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China
Abstract:This paper demonstrates a technique on heat-assisted magnetic probe recording. The recording medium is a CoNi/Pt multilayered film, suitable for perpendicular recording. Scanning tunneling microscopy(STM) current was introduced to heat the medium locally. Pulse voltages of 2—9V, 500ns in width and 100ns in risetime were used to write marks. Marking was achieved at bias voltages higher than the threshold value 4V in the shape of circular dots with an average size of 170nm. Below the threshold, no marks were observed. A simple model qualitatively explains the experiment.
Keywords:scanning tunneling microscopy  heat assisted magnetic recording  ultra-high density recording
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