| LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管 |
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| 引用本文： | 刘宝林,黄美纯,陈朝,陈丽容,陈龙海,杨树人,陈伯军,王本忠,范爱英,李正庭,刘式墉.LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管[J].半导体光电,1995(4). |
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| 作者姓名： | 刘宝林 黄美纯 陈朝 陈丽容 陈龙海 杨树人 陈伯军 王本忠 范爱英 李正庭 刘式墉 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系，吉林大学电子工程系集成光电子国家联合重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。
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| 关 键 词： | 半导体器件，半导体工艺，光电二极管 |
InGaAs/InP PIN photodiodes fabricated by LP-MOCVD |
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| LIU Baolin,HUANG Meichun,CHEN Chao,CHEN Lirong,CHEN Longhai.InGaAs/InP PIN photodiodes fabricated by LP-MOCVD[J].Semiconductor Optoelectronics,1995(4). |
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| Authors: | LIU Baolin HUANG Meichun CHEN Chao CHEN Lirong CHEN Longhai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor Devices Semiconductor Technology Photodiodes |
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