| 芯片制造电子电镀表界面科学基础——第341期“双清论坛”综述 |
| |
| 引用本文： | 程俊,戴卫理,高飞雪,杭弢,黄蕊,王翀,马盛林,洪文晶,赵庆,陈军,任其龙,杨俊林,孙世刚.芯片制造电子电镀表界面科学基础——第341期“双清论坛”综述[J].中国科学:化学,2023(10):1803-1811. |
| |
| 作者姓名： | 程俊 戴卫理 高飞雪 杭弢 黄蕊 王翀 马盛林 洪文晶 赵庆 陈军 任其龙 杨俊林 孙世刚 |
| |
| 作者单位： | 1. 厦门大学化学化工学院;2. 国家自然科学基金委员会;3. 上海交通大学材料科学与工程学院;4. 电子科技大学材料与能源学院;5. 厦门大学航空航天学院;6. 南开大学化学学院;7. 浙江大学化学工程与生物工程学院 |
| |
| 摘 要： | 电子电镀作为芯片制造中唯一能够实现纳米级电子逻辑互连的技术方法,是国家高端制造战略安全的重要支撑.本文基于国家自然科学基金委员会第341期“双清论坛”,针对我国在芯片制造电子电镀领域的重大需求,梳理了芯片制造电子电镀表界面科学基础的研究现状、发展趋势及面临的挑战,凝炼了该研究领域急需关注和亟待解决的重要基础科学问题,探讨了今后5～10年的科学基金重点资助方向,为国家相关政策的总体布局提供有效的参考建议.
|
| 关 键 词： | 芯片制造 电子电镀 微纳界面过程 电沉积机制与调控 表界面科学 |
|
|
