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| 晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨 | |
| 引用本文： | 石林初.晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨[J].半导体技术,1999,24(3):14-18. |
| 作者姓名： | 石林初 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司,无锡,214061 |
| 摘 要： | 由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一。 |
| 关 键 词： | 晶体管原理 发射极电流集边效应 基区电阻 发射区有效周长 有效发射区宽度 |
| 修稿时间： | 19980715) |
Discussion on the Physical Meaning of the Edge-Crowding-Effect of Emitter Current in a Transistor |
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| Shi Linchu.Discussion on the Physical Meaning of the Edge-Crowding-Effect of Emitter Current in a Transistor[J].Semiconductor Technology,1999,24(3):14-18. | |
| Authors: | Shi Linchu |
| Institution: | China Huajing Electronics Group Corporation 214061 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Principle of transistor Edge crouding effect of emitter current Base resistor Effective peripheral length of emitter Effective width of emitter |
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