| 一维氮化镓纳米材料的制备 |
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| 引用本文： | 郝瑞,袁金颖.一维氮化镓纳米材料的制备[J].大学化学,2006,21(5):27-30. |
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| 作者姓名： | 郝瑞 袁金颖 |
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| 作者单位： | 清华大学化学系,北京,100084 |
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| 摘 要： | 氮化镓是Ⅲ-Ⅴ族半导体中最重要的材料之一,有着极其优良的发光性质和半导体性质。在一维氮化镓纳米材料的制备方面,已经发展出了许多方法,如气相-模板合成法、气-液-固(VLS)合成法、氧化辅助合成等。本文主要介绍其中几个有代表性的方法,并对该领域进行了展望。
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| 关 键 词： | 纳米材料 氮化镓 制备 一维 Ⅲ-Ⅴ族半导体 模板合成法 半导体性质 气-液-固 |
Preparation of One-dimensional GaN Materials |
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| Hao Rui,Yuan Jinying.Preparation of One-dimensional GaN Materials[J].University Chemistry,2006,21(5):27-30. |
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| Authors: | Hao Rui Yuan Jinying |
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