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掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响
引用本文:赵丽丽,畅柱国,吴淑荣,熊为淼.掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响[J].电子元件与材料,2003,22(9):24-26.
作者姓名:赵丽丽  畅柱国  吴淑荣  熊为淼
作者单位:1. 西北大学电子科学系,陕西,西安,710069
2. 西北大学化学系,陕西,西安,710069
摘    要:为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律.结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(β)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(αR)和耐电压(Vb).本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:ρ≈28Ω@cm,α25>16%℃-1,Vb>180 V@mm-1.

关 键 词:PTCR  溶胶–凝胶法  阻温系数  掺杂
文章编号:1001-2028(2003)09-0024-03
修稿时间:2003年5月15日

Effect of Ag-doping on BaTiO3-based PTCR Ceramics by Once-through Method in Sol-gel Process
ZHAO Li-li ,CHANG Zhu-guo,WU Shu-rong,XIONG Wei-miao.Effect of Ag-doping on BaTiO3-based PTCR Ceramics by Once-through Method in Sol-gel Process[J].Electronic Components & Materials,2003,22(9):24-26.
Authors:ZHAO Li-li  CHANG Zhu-guo  WU Shu-rong  XIONG Wei-miao
Institution:ZHAO Li-li 1,CHANG Zhu-guo2,WU Shu-rong2,XIONG Wei-miao2
Abstract:
Keywords:PTCR  sol-gel process  resistivity-temperature coefficient  doping
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