| AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究 |
| |
| 引用本文： | 万书权,朱世富,赵北君,黄毅,朱伟林,徐承福,何知宇,陈宝军,赵国栋.AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究[J].人工晶体学报,2008,37(1):52-55. |
| |
| 作者姓名： | 万书权 朱世富 赵北君 黄毅 朱伟林 徐承福 何知宇 陈宝军 赵国栋 |
| |
| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
| |
| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目 |
| |
| 摘 要： | 采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备.采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217;.采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理.退火处理后晶体的红外透过率有明显改善.在4000cm-1～7000cm-1范围内红外透过率由原先低于25;改进到高于40;;在750cm-1～4000cm-1范围的红外透过率由原先低于45;改善到超过50;,在2000cm-1 ～750cm-1区域甚至高达60;.结果表明:采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备.
|
| 关 键 词： | AgGa1-xInxSe2 红外非线性光学晶体 退火处理 差热分析 红外透过率 |
| 文章编号： | 1000-985X（2008）01-0052-04 |
| 收稿时间： | 2007-03-06 |
| 修稿时间： | 2007年3月6日 |
Study on Annealing of AgGa1-xInxSe2 Single Crystal |
| |
| WAN Shu-quan,ZHU Shi-fu,ZHAO Bei-jun,HUANG Yi,ZHU Wei-lin,XU Cheng-fu,HE Zhi-yu,CHEN Bao-jun,ZHAO Guo-dong.Study on Annealing of AgGa1-xInxSe2 Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(1):52-55. |
| |
| Authors: | WAN Shu-quan ZHU Shi-fu ZHAO Bei-jun HUANG Yi ZHU Wei-lin XU Cheng-fu HE Zhi-yu CHEN Bao-jun ZHAO Guo-dong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | AgGa1-xInxSe2 infrared nonlinear optical crystal annealing treatment differential scanningcalorimetry infrared transmission |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
