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对全入射角负折射二维光子晶体结构和电磁参量的研究
作者姓名:易燕  方吉祥  丁秉钧
作者单位:1.西安交通大学 理学院 金属材料强度国家重点实验室,西安,710049
摘    要:利用二维光子晶体的等频线分析原理和平面波展开方法,得到了使二维光子晶体产生全入射角负折射(All-AngleNegativeRefraction,AANR)现象时,入射电磁波的频率取值范围.同时,分析了AANR频率范围随着结构参量(晶格类型、介质棒半径与晶格周期的比值)和电磁参量(介质柱介电常量、本底介电常量、入射电磁波偏振方向)变化的行为.结果表明:固定组成光子晶体的一种介质的介电常量,另一介质的介电常量只有达到一定阈值,才有可能使光子晶体出现AANR现象.在给定两种介质介电常量的条件下,存在使AANR频率范围最大化的结构参量和电磁参量.

关 键 词:光子晶体  AANR  等频线分析  负折射
文章编号:1004-4213(2008)02-0287-5
收稿时间:2006-09-19
修稿时间:2006-09-19
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