| CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡 |
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| 引用本文： | 金应荣,朱世富,赵北君,王学敏,宋芳,李奇峰. CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡[J]. 人工晶体学报, 2002, 31(3): 305-309 |
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| 作者姓名： | 金应荣 朱世富 赵北君 王学敏 宋芳 李奇峰 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 基金项目： | 教育部骨干教师资助项目和四川省学术带头人培养基金资助项目 |
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| 摘 要： | 化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响.本文根据相平衡原理,利用热力学分析方法,分析了CdSe单晶体的气相生长过程,阐明了控制化学配比的原理,指出只有在固-液-气三相平衡或接近三相平衡的条件下,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料,在1120～1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体.
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| 关 键 词： | CdSe单晶体 气相生长 相平衡, |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)03-0305-05 |
| 修稿时间： | 2001-10-22 |
Phase Equilibrium of CdSe Crystals in Vapor-phase Growth |
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