Al Ⅱ~1P_1~0序列能级结构的多通道量子亏损理论分析

本文利用多通道量子亏损理论(MQDT),分析了Al II受干扰序列~1P_1~0的能级结构。分析表明,主序列3snp~1P_1~0受到了来自双激发态3p4s~1P_1~0的强烈干扰。这种相互作用使3p4s~1P_1~0分布到整个3snp~1P_1~0之中,而不再对应于一条单独的谱线。利用拟合能级实验数据所得的MQDT参数,计算了序列3snp~1P_λ~θ中n≤50的能级。对于已测得的能级,计算结果与实验值符合得很好。