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CaS∶Eu,Sm光存储材料的光谱特性
引用本文:姜薇薇,徐征,张希艳.CaS∶Eu,Sm光存储材料的光谱特性[J].光谱学与光谱分析,2007,27(12):2389-2392.
作者姓名:姜薇薇  徐征  张希艳
作者单位:1. 北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京 100044
2. 长春理工大学材料与化工学院,吉林 长春 130022
基金项目:国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金
摘    要:CaS∶Eu, Sm是一种典型的电子俘获型光存储材料,文章采用湿法在还原气氛中制备了CaS∶Eu, Sm粉末样品。测量了这种光存储材料的XRD、激发光谱、发射光谱、光激励发光光谱、热释光谱以及光激励发光衰减曲线。XRD结果表明样品在1 050 ℃晶格已经形成。光谱测试结果说明紫外光可激发该材料,作为信息写入光源。样品被紫外光源饱和激发后,用980 nm红外激光激励,发射出峰值位于635 nm的红光。光激励发光起初衰减较快,随后有一个较长的平缓期。且样品具有合适深度的陷阱能级,能够稳定存储信息。对CaS∶Eu, Sm的光存储机理进行了探讨。

关 键 词:CaS∶Eu  Sm  光存储  光谱  
文章编号:1000-0593(2007)12-2389-04
收稿时间:2006-06-16
修稿时间:2006-09-18
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