| Ru2Si3在应力作用下的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 崔冬萌,贾锐,谢泉,赵珂杰. Ru2Si3在应力作用下的第一性原理研究[J]. 发光学报, 2011, 32(9): 907-912 |
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| 作者姓名： | 崔冬萌 贾锐 谢泉 赵珂杰 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院 微电子研究所, 北京 100029;2. 贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所, 贵州 贵阳 550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(2908YB013001,110360706023);国家“973”计划(1J2009CB320300,1J2006CB604904);吉林省自然科学基金(201115122)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较.计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽；随着负应力的逐渐增大,带隙缓慢减小并且始终为直接带隙.光学性质曲线随着负应力的不断...
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| 关 键 词： | Ru2Si3 第一性原理 应力 电子结构 |
| 收稿时间： | 2011-03-24 |
First-principles Calculations of Stressed Ru2Si3 |
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| CUI Dong-meng,JIA Rui,XIE Quan,ZHAO Ke-jie. First-principles Calculations of Stressed Ru2Si3[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(9): 907-912 |
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| Authors: | CUI Dong-meng JIA Rui XIE Quan ZHAO Ke-jie |
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| Affiliation: | 1. Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;2. Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, Guizhou University, Guiyang 550025, China |
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| Abstract: | Electronic structure and optical properties of Stressed Ru2Si3 have been calculated and compared using the first-principle density function theory pseudopotential method. The calculated results show that the energy band-gap increases with increasing the positive stress; the energy band-gap decreases with increasing the negative stress, and Ru2Si3 always is direct band-gap semiconductor. The curves of optical properties tend to high-energy direction with increasing the stress. |
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| Keywords: | Ru2Si3 first-principles stress electronic structure |
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