| 一种1.8 ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源 |
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| 引用本文： | 郑儒富,张波,俞永康,杨永豪,陆小飞.一种1.8 ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源[J].微电子学,2006,36(6):778-781. |
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| 作者姓名： | 郑儒富 张波 俞永康 杨永豪 陆小飞 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40~125℃范围内使用HSPICE进行仿真,得到的温度系数仅有1.8 ppm/℃。
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| 关 键 词： | BiCMOS 温度补偿 带隙基准电压 温度系数 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）06-0778-04 |
| 收稿时间： | 2006-03-13 |
| 修稿时间： | 2006-03-132006-05-03 |
A Curvature Compensated BiCMOS Bandgap Reference with 1.8-ppm/℃ |
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| ZHENG Ru-fu,ZHANG Bo,YU Yong-kang,YANG Yong-hao,LU Xiao-fei.A Curvature Compensated BiCMOS Bandgap Reference with 1.8-ppm/℃[J].Microelectronics,2006,36(6):778-781. |
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| Authors: | ZHENG Ru-fu ZHANG Bo YU Yong-kang YANG Yong-hao LU Xiao-fei |
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| Institution: | State Key Lab of Elec, Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu, Sichuan 610054, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BiCMOS Temperature compensation Bandgap voltage reference Temperature coefficient |
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