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| 采用球面研磨的硅结深的测定 | |
| 引用本文： | 由井尚正,须华生.采用球面研磨的硅结深的测定[J].微纳电子技术,1977(1). |
| 作者姓名： | 由井尚正 须华生 |
| 摘 要： | 1.绪言在测定硅之类半导体片内较浅的扩散层、离子注入层、外延层的 PN 结结深时,如果使深度方向扩展之后再进行观察,则能获得良好精度的测定。球面研磨法是实现此目的的一种方法。球面研磨与一般常用的平面角度研磨相比具有如下的优点:(1)从测定原理上来看,PN 结结深越浅,其深度方向的扩展率就越大;(2)用显微镜观察半导体表面的测定点相当方便,而且可以局部选择;(3)只要测定片子表面的尺寸就行了等等。而实际上随着 PN 结结深变浅,研磨面和半导体表面之间的夹角就随之而变大,使 |
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