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稀土半导体Cu(In,R)Te_2(R=稀土)的结构和拉曼散射研究
引用本文:聂霄萌,郭永权,郑淑. 稀土半导体Cu(In,R)Te_2(R=稀土)的结构和拉曼散射研究[J]. 中国稀土学报, 2015, 33(2): 165-172
作者姓名:聂霄萌  郭永权  郑淑
作者单位:华北电力大学能源动力与机械工程学院,北京,102206
摘    要:利用稀土元素独特的光、电特性,成功地制备出稀土掺杂的CuIn1-xRxTe2(R=稀土)(CIRT)新型光伏半导体材料。应用X射线衍射、扫描电镜、拉曼散射等进行了相关的晶体结构、显微组织、光性能研究。研究表明:稀土元素的掺杂能够稳定黄铜矿型的晶体结构,点阵常数随稀土元素的掺杂呈现出涨落性。应用Rietveld方法测定原子占位,稀土元素部分替代In占据4b晶位。稀土元素的掺杂导致晶粒团聚现象,并形成柱状或层状单晶颗粒,具有透光性。CuInTe2和CuIn0.9Sm0.1Te2的Eg值分别为1.25和1.32 eV,这表明:CuIn0.9Sm0.1Te2与CuIn1-xGaxTe2具有接近的禁带宽度,适宜做光伏材料。拉曼散射实验证实:稀土元素的添加对于光散射诱发的原子振动频率有较大的影响,使得一些原有频率消失,有助于光谱频段的选择性吸收。

关 键 词:稀土  半导体  太阳能电池  CIGS

Structures and Raman Scattering Study of Rare Earth Doped Cu(In,R)Te2 (R =Rare Earth) Semiconductors
Nie Xiaomeng , Guo Yongquan , Zheng Shu. Structures and Raman Scattering Study of Rare Earth Doped Cu(In,R)Te2 (R =Rare Earth) Semiconductors[J]. Journal of the Chinese Society of Rare Earths, 2015, 33(2): 165-172
Authors:Nie Xiaomeng    Guo Yongquan    Zheng Shu
Abstract:
Keywords:rare earth  semiconductor  solar cells  CIGS
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