| 60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响 |
| |
| 作者姓名： | 谷文萍 张进城 王冲 冯倩 马晓华 郝跃 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(批准号：60736033)和预先研究项目(批准号：51311050112，51308030102，51308040301)资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 采用60Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射，实验发现辐射累积剂量越大，器件尺寸越小，器件饱和漏电流和跨导下降越明显，同时辐射后器件栅泄漏电流明显增大，而阈值电压变化很小. 对辐射前后器件的沟道串联电阻和阈值电压变化的分析表明，辐射感生表面态负电荷的产生是造成AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因之一.关键词：AlGaN/GaN HEMT器件γ射线辐射表面态
|
| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT器件 γ射线辐射 表面态 |
| 收稿时间： | 2008-04-08 |
| 修稿时间： | 2008-08-08 |
|
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
