| Cu掺杂β-Si3N4的力学性能和电子结构的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 龙敏,黄福祥,徐良玉,冷月,杨州,李雪梅.Cu掺杂β-Si3N4的力学性能和电子结构的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2023,40(5):056008-187. |
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| 作者姓名： | 龙敏 黄福祥 徐良玉 冷月 杨州 李雪梅 |
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| 作者单位： | 重庆理工大学材料科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 重庆理工大学研究生创新基金资助（0109180712） |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函的第一性原理方法研究了(Si3-xCux)N4(x=0,0.25,0.5,0.75,1)晶体的稳定性、力学性能和电子结构，分析了Cu掺杂对β-Si3N4力学性能的影响机制.结果表明，(Si3-xCux)N4为热力学稳定结构，Cu掺杂降低了β-Si3N4的稳定性.由弹性常数和Voigt-Reuss-Hill近似看出，(Si3-xCux)N4满足波恩力学稳定性判据，Cu掺杂使得β-Si3N4的体模量、剪切模量和杨氏模量降低，当x=0时，(Si3-xCux)N4的体模量、剪切模量和杨氏模量最大，分别为234.3 GPa、126.7 GPa和322.1 GPa.根据泊松比和G/B值判断出(...
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| 关 键 词： | 第一性原理 β-Si3N4 Cu掺杂 力学性能 电子结构 |
| 收稿时间： | 2022/5/14 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/5/31 0:00:00 |
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