| 过渡金属掺杂β-GeS的电子性能和光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 代雪娇,程明志,张川川,孙启花,陈轩,陆树伟,段海明.过渡金属掺杂β-GeS的电子性能和光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2023,40(4):046004-164. |
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| 作者姓名： | 代雪娇 程明志 张川川 孙启花 陈轩 陆树伟 段海明 |
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| 作者单位： | 新疆大学物理科学与技术学院 |
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| 基金项目： | 新疆维吾尔自治区自然科学基金(2019D01C038)；;国家自然科学基金(11664038)； |
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| 摘 要： | 运用第一性原理计算方法系统研究了二维单层β-GeS中取代掺杂不同3d过渡金属原子时体系磁性、能带结构和光学性质的变化.结果表明：相比于本征非磁性β-GeS,取代掺杂Ti～Cu导致β-GeS具有磁性，且磁矩呈现出先增加后减小的变化趋势；掺杂后体系能带结构发生明显变化，分别表现出金属，半金属和半导体性质，而且导带底的位置明显向Fermi能级方向移动.相比于本征体系，非本征体系的光学性质表明：其在一定波段范围内出现蓝移现象以及光响应强度发生变化，且掺杂前后体系均表现出高的各向异性.
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| 关 键 词： | 过渡金属掺杂 磁性 光学性质 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2022/2/11 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/2/26 0:00:00 |
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