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Co掺杂β-Ga2O3的电学性质和电荷转变能级的第一性原理计算
引用本文:孟婷,赵二俊,刘雨欣.Co掺杂β-Ga2O3的电学性质和电荷转变能级的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2023,40(2):026009-194.
作者姓名:孟婷  赵二俊  刘雨欣
作者单位:内蒙古工业大学理学院
基金项目:国家自然科学基金(11805105);
摘    要:采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Co掺杂β-Ga2O3体系的电学性质和转变能级.研究发现,Co原子代替Ga原子后会导致电子结构发生显著变化.利用杂化泛函(HSE06)计算了体系的能带结构,发现随着Co掺杂浓度增加,β-Ga2O3禁带宽度逐渐减小,增加化合物对光的吸收,增强它们的光学性能和载流子输运能力.在β-Ga2O3体系的四面体格位掺入Co原子,将引入了4.00μB的磁矩,磁矩主要来源于Co原子.通过对电子局域函数的分析,可知,Ga, Co和O原子之间是共价键和离子键共同结合.在富镓的条件下,1×3×2超胞模型下,Co掺杂会形成浅受主杂质能级.

关 键 词:β-Ga2O3  第一性原理  电子局域函数  转变能级  缺陷形成能
收稿时间:2022/4/24 0:00:00
修稿时间:2022/5/9 0:00:00
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