首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Si晶体中60°位错运动的分子动力学研究
作者姓名:杨立军  孟庆元  李根  李成祥  钟康游
作者单位:哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001
摘    要:在Si晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello-Rahman方法施加剪应力,使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的温度和剪应力作用下的运动特性.观察到了位错速度与剪应力成正比关系;而温度对位错速度的影响,随着外加剪应力的不同呈现出三种趋势:(1) 低剪应力作用下,位错速度与温度成正比关系;(2)剪应力达到0.6GPa附近时,位错速度与温度呈反比关系,声子拖动效应开始起作用;(3)当剪应力达到2GPa时,位错速度稳定在某一特定值,不再明显随温度的变化而变化.

关 键 词:位错运动速度  分子动力学模拟  声子拖动效应
文章编号:1000-985X(2006)03-0456-05
收稿时间:2005-09-15
修稿时间:2005-10-20
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号