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| 用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构 | |
| 引用本文： | 赵伯林,林礼煌.用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构[J].激光与光电子学进展,1995,32(12):13-15. |
| 作者姓名： | 赵伯林 林礼煌 |
| 作者单位： | 赵伯林: 林礼煌: |
| 摘 要： | 用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。这是在进行选择生长时，增大面方位的生长速度差。即必须有选择生长任意结晶面方位的晶体生长技术（面... |
| 关 键 词： | 外延生长 半导体材料 原子层 量子线 结构 |
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