多芯Bi2223/Ag带材30K温区的临界电流密度和交流损耗 |
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引用本文: | 王银顺,胡倾宇.多芯Bi2223/Ag带材30K温区的临界电流密度和交流损耗[J].低温物理学报,1998,20(3):203-208. |
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作者姓名: | 王银顺 胡倾宇 |
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作者单位: | 中国科学院电工研究所,澳大利亚新南威尔士洲伍伦贡大学 |
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摘 要: | 本文研究了30K温区和工频下81芯Bi2223/Ag带材的临界电流特性和没背场下的交流损耗,临界电流是用SQUID磁化法和标准四引法测量;交流损耗理在样品通以正弦电流情况下采用电测法进行测量,结果发现交流损耗随背场的增加而增大,同时与频率的关系是非线性的,并且偏离基于Bean模型所预言的结果;表明30K温区多芯带材Ag基中的涡流损耗的芯间的耦合损耗不可忽略。
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关 键 词: | 高Tc 交流损耗 Bi2223/Ag带材 临界电流密度 |
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