首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算
引用本文:张帆,李林,王勇,邹永刚,李占国,马晓辉,隋庆学,刘国军.GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算[J].光子学报,2011,40(4):521-525.
作者姓名:张帆  李林  王勇  邹永刚  李占国  马晓辉  隋庆学  刘国军
作者单位:1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
2. 总装备部装甲兵驻长春地区军事代表室,长春,130103
基金项目:国家自然科学基金,高功率半导体激光国家重点实验室基金
摘    要:本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算了GaAs半导体激光器的增益特性,并使用MATLAB软件中的Mupad工具包求解费米积分的数值解.然后根据得到的增益拟...

关 键 词:半导体激光器  线宽展宽因子  增益  自由载流子吸收  带隙收缩

Theoretical Calculation of Linewidth Enhancement Factor in GaAs Semiconductor Lasers
ZHANG Fan,LI Lin,WANG Yong,ZOU Yong-gang,LI Zhan-guo,MA Xiao-hui,SUI Qing-xue,LIU Guo-jun.Theoretical Calculation of Linewidth Enhancement Factor in GaAs Semiconductor Lasers[J].Acta Photonica Sinica,2011,40(4):521-525.
Authors:ZHANG Fan  LI Lin  WANG Yong  ZOU Yong-gang  LI Zhan-guo  MA Xiao-hui  SUI Qing-xue  LIU Guo-jun
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号