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| 半导体激光器的纵模竞争分析 | |
| 引用本文： | Roy Lang,杨成珠.半导体激光器的纵模竞争分析[J].半导体光电,1983(1). |
| 作者姓名： | Roy Lang 杨成珠 |
| 作者单位： | 日本电气公司光电子学研究实验室 |
| 摘 要： | 在(AlGa)As激光器)及1.3μm、1.5μmInGaAsP/Inp~2)激光器中,观察到纵模竞争的滞后现象。这种滞后现象揭示了在纵模中存在着“强耦合”。朗伯在论述气体激光器)时首先叙述这个问题。用他的关于带-带跃迁扰动方程的推广可直截了当地说明这种滞后现象。近来发现由于模跳跃而产生大的强度起伏,在半导体激光器的实际应用中出现 |
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