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| GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究 | |
| 引用本文： | 凌勇,周赫田,朱星,黄贵松,党小忠,张国义.GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究[J].半导体学报,1999,20(4):341-345. |
| 作者姓名： | 凌勇 周赫田 朱星 黄贵松 党小忠 张国义 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 |
| 摘 要： | 运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱．研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息，为研究样品表面微观发光机理提供了一个有力的手段．对近场光谱中各发光峰的强度随注入电流（电压）变化曲线的研究结果揭示出ＧａＮ蓝光二极管的能带中的施主能级，在ＧａＮ蓝绿光二极管的发光中和受主深能级同样都起着重要的作用． |
| 关 键 词： | 氮化镓 蓝光二极管 外延生长 近场光谱 |
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