| LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备 |
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| 引用本文： | 毕臻,张景文,边旭明,王东,张新安,侯洵.LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备[J].半导体学报,2007,28(8):1242-1247. |
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| 作者姓名： | 毕臻 张景文 边旭明 王东 张新安 侯洵 |
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| 作者单位： | 西安交通大学理学院,西安 710049;西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室，西安 710049;河南大学物理与信息光电子学院，开封 475001;西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室，西安 710049;西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室，西安 710049;西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室，西安 710049;西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室，西安 710049;河南大学物理与信息光电子学院，开封 475001;西安交通大学理学院,西安 710049;西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室，西安 710049;河南大学物理与信息光电子学院，开封 475001 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目
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河南省高校杰出科研创新人才工程项目 |
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| 摘 要： | 采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.
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| 关 键 词： | Mg0.2Zn0.8O薄膜 紫外探测器 响应时间 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）08-1242-06 |
| 修稿时间： | 3/24/2007 3:24:43 PM |
MSM Ultraviolet Photodetector of Mg0.2Zn0.8O by LMBE |
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| Bi Zhen,Zhang Jingwen,Bian Xuming,Wang Dong,Zhang Xin''Can and Hou Xun.MSM Ultraviolet Photodetector of Mg0.2Zn0.8O by LMBE[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(8):1242-1247. |
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| Authors: | Bi Zhen Zhang Jingwen Bian Xuming Wang Dong Zhang Xin'Can and Hou Xun |
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| Institution: | School of Science,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;Key Laboratory of Photonics Technology for Information,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;School of Physics and Photoelectronics,Henan University,Kaifeng 475001,China;Key Laboratory of Photonics Technology for Information,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;Key Laboratory of Photonics Technology for Information,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;Key Laboratory of Photonics Technology for Information,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;Key Laboratory of Photonics Technology for Information,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;School of Physics and Photoelectronics,Henan University,Kaifeng 475001,China;School of Science,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;Key Laboratory of Photonics Technology for Information,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;School of Physics and Photoelectronics,Henan University,Kaifeng 475001,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mg0 2Zn0 8O film ultraviolet photodetector response time |
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