| SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究 |
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| 引用本文： | 姜建东,孙承龙,王渭源,王德宁. SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究[J]. 微细加工技术, 1994, 0(4) |
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| 作者姓名： | 姜建东 孙承龙 王渭源 王德宁 |
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| 作者单位： | 中科院上海冶金所传感技术研究室，复旦大学电子工程系 |
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| 基金项目： | 国家“八五科技攻关项目” |
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| 摘 要： | 用ＳＦ＿６／ＣＣｌ＿２Ｆ＿２加Ｏ＿２混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀机上，进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约１２０ｎｍ－１５０ｎｍ的Ｃｒ薄膜时，研究了Ｏ＿２在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺，己刻蚀出高度为１０μｍ的硅台阶，台阶倾角小于５°，横向腐蚀约为０．５μｍ，刻蚀表面粗糙度约１０％。
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| 关 键 词： | 反应离子刻蚀，各向异性深刻蚀硅，聚合物掩蔽膜，蚀刻速率，蚀刻形貌 |
STUDY ON DEEP REACTIVE ION ETCHING OF SILICON USING SF_6/CCl_2F_2 WITH O_2 ADDITION |
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| Jiang Jiandong,Su Chenglong,Wang Weiyun,Wang Dening. STUDY ON DEEP REACTIVE ION ETCHING OF SILICON USING SF_6/CCl_2F_2 WITH O_2 ADDITION[J]. Microfabrication Technology, 1994, 0(4) |
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| Authors: | Jiang Jiandong Su Chenglong Wang Weiyun Wang Dening |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reactive ion etching deep anisotropical etching etching rate polymer protecting film surface roughness |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
