| 针对深亚微米SRAM电路总剂量效应的最劣辐照表征研究 |
| |
| 引用本文： | 丁李利,姚志斌,郭红霞,陈伟,范如玉.针对深亚微米SRAM电路总剂量效应的最劣辐照表征研究[J].半导体学报,2012,33(7):075010-5. |
| |
| 作者姓名： | 丁李利 姚志斌 郭红霞 陈伟 范如玉 |
| |
| 作者单位： | 清华大学工程物理系；西北核技术研究所 |
| |
| 基金项目： | Project supported by National Natural Science Foundation of China （No. ! 1175271）. |
| |
| 摘 要： | 利用理论分析与试验验证手段研究了深亚微米SRAM（静态随机存取存储器）电路的最劣辐照效应。对各模块电路的辐照效应进行了详细分析：对于具备触发器结构的存储单元与运算放大器，对应的失效水平将与辐照过程中所存储状态具有极大相关性，此类电路倾向于存储或读取与辐照过程中所存储状态相同的状态值。设计了针对SRAM电路的最劣辐照测试方案，其中包含辐照后改变原有存储状态的写操作及针对改变后所存储状态进行的读操作。设计了针对容量8K位，特征尺寸0.25um的SRAM电路开展的辐照比对实验，利用该最劣辐照测试方案获取的抗总剂量水平（150krad(Si)）相对于常用的简单测试方案所获取数值（1Mrad(Si)）大大降低，说明常用的简单测试方案可能高估SRAM电路的抗辐照水平，同时验证了该最劣测试方案的合理性。
|
| 关 键 词： | SRAM单元 辐射效应 深亚微米 电路 总剂量 测试计划 电离辐射 辐射水平 |
| 收稿时间： | 12/9/2011 5:51:50 PM |
Worst-case total dose radiation effect in deep-submicron SRAM circuits |
| |
| Ding Lili,Yao Zhibin,Guo Hongxi,Chen Wei and Fan Ruyu.Worst-case total dose radiation effect in deep-submicron SRAM circuits[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(7):075010-5. |
| |
| Authors: | Ding Lili Yao Zhibin Guo Hongxi Chen Wei and Fan Ruyu |
| |
| Institution: | Department of Engineering Physics, Tsinghua University;Northwest Institute of Nuclear Technology |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Worst-case test shceme total dose effect deep-submicron SRAM |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
