| 纳米隧道结的制备和特性研究 |
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| 引用本文： | 匡登峰,刘庆纲,胡小唐,胡留长,郭维廉. 纳米隧道结的制备和特性研究[J]. 物理学报, 2006, 55(1): 80-83 |
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| 作者姓名： | 匡登峰 刘庆纲 胡小唐 胡留长 郭维廉 |
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| 作者单位： | (1)精密测试计量技术及仪器国家重点实验室,天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津 300072; (2)南开大学现代光学研究所,天津 300071; (3)天津大学电子信息工程学院,天津 300072 |
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| 基金项目： | 教育部天津大学-南开大学合作项目 |
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| 摘 要： | 结合对向靶直流磁控溅射技术、微电子光刻方法和原子力显微镜阳极氧化加工方法制备了实用的纳米钛-钛氧化线-钛隧道结，钛膜的厚度为3.02nm.钛氧化线的宽度为60.5nm，在室温下此隧道结的I-V曲线表现出明显的库仑阻塞效应.关键词：原子力显微镜阳极氧化钛氧化线隧道结库仑阻塞效应
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| 关 键 词： | 原子力显微镜阳极氧化 钛氧化线 隧道结 库仑阻塞效应 |
| 文章编号： | 1000-3290/2006/55(01)/0080-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-13 |
| 修稿时间： | 2005-06-06 |
Fabrication and properties of nano metric tunneling junction |
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| Kuang Deng-Feng,Liu Qing-Gang,Hu Xiao-Tang,Hu Liu-Chang,Guo Wei-Lian. Fabrication and properties of nano metric tunneling junction[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(1): 80-83 |
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| Authors: | Kuang Deng-Feng Liu Qing-Gang Hu Xiao-Tang Hu Liu-Chang Guo Wei-Lian |
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| Abstract: | Applicable nano metric titanium-titanium oxide line-titanium tunneling junction was fabricated with dual-facing target sputtering,micro-electronic optical lithography and atomic force microscope anodic oxidation.The thickness of titanium film of the fabricated junction was 3nm and the width of the titanium oxide line was 60.5nm.The I-V curve of the tunneling junction at room temperature clearly indicates the Coulomb blockade effect. |
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| Keywords: | atomic force microscope anodic oxidation titanium oxide line tunneling junction Coulomb blockade effect |
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