| ~(60)Co辐照损伤对发光二极管性能影响的研究 |
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| 引用本文： | 胡瑾,杜磊,张海辉,杨广林.~(60)Co辐照损伤对发光二极管性能影响的研究[J].光子学报,2010,39(6). |
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| 作者姓名： | 胡瑾 杜磊 张海辉 杨广林 |
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| 作者单位： | 1. 西北农林科技大学,机械与电子工程学院,陕西,杨凌,712100
2. 西安电子科技大学,技术物理学院,西安,710071 |
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| 摘 要： | 通过引入散射理论建立了发光二极管模型,并考虑低计量率电离辐照损伤影响,建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件在不同辐照条件下的电学特性,实验结果与理论模型符合良好.通过对测量结果和以上模型的分析,深入研究低剂量电离辐照损伤和发光二极管性能衰减的关系.证实由于复合中心上的电子浓度增加,导致界面态浓度和散射几率的略微增大,从而造成其I-V和L-V特性的略微衰减.同时由于重离子辐照可直接产生位移效应,使界面态浓度明显上升,因此其对发光二极管的影响较电离辐照大很多.
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| 关 键 词： | 发光二极管 界面态浓度 散射几率 电离辐照损伤 |
Influence of 60Co Radiation Damage on Performance of Light Emitting Diode |
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| HU Jin,DU Lei,ZHANG Hai-hui,YANG Guang-lin.Influence of 60Co Radiation Damage on Performance of Light Emitting Diode[J].Acta Photonica Sinica,2010,39(6). |
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| Authors: | HU Jin DU Lei ZHANG Hai-hui YANG Guang-lin |
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