| 绝缘环厚度对200kV箍缩反射离子二极管电参数的影响 |
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| 引用本文： | 石磊,何小平,张嘉生,邱爱慈,吴祖堂.绝缘环厚度对200kV箍缩反射离子二极管电参数的影响[J].强激光与粒子束,2000,12(6):756-758. |
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| 作者姓名： | 石磊 何小平 张嘉生 邱爱慈 吴祖堂 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所，西安市69信箱13分箱，710024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 :!(19975 0 3 7)，国防科技基础研究基金资助课题 |
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| 摘 要： | 给出了箍缩反射离子二极管中绝缘环厚度的选择原则，并从实验上给出了200kV箍缩反射离子二极管的绝缘环厚度对离子束和二极管电参数的影响，当绝缘环厚度为2～3mm时，二极管总电流峰值和离子束流峰值都较大，加速器系统工作状态较稳定。
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| 关 键 词： | 箍缩反射离子二极管 绝缘环 离子束流 阻抗 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
| 修稿时间： | 2000-07-23 |
The Effect of Dielectric Ring Thickness of 200kV Pinch-Reflex Ion Diode on Diode Electrical Parameters |
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| SHI Lei,HE Xiao-ping,ZHANG Jia-sheng,QIU Ai-ci,Wu Zu-tang.The Effect of Dielectric Ring Thickness of 200kV Pinch-Reflex Ion Diode on Diode Electrical Parameters[J].High Power Laser and Particle Beams,2000,12(6):756-758. |
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| Authors: | SHI Lei HE Xiao-ping ZHANG Jia-sheng QIU Ai-ci Wu Zu-tang |
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| Abstract: | The dielectric ring thickness of pinch-reflex ion diode is roughly calculated, the effect of dielectric ring thickness of 200kV pinch-reflex ion diode on ion beams and diode electric parameters is studied. The experimental results show when dielectric ring thickness in the range of 2~3mm the accelerator system can work in good condition with high ion beam and total beam currents. |
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| Keywords: | pinch reflex ion diode dielectric ring ion beam current impedance |
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