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端基对分子器件整流性质的影响
引用本文:邓小清,周继承,张振华.端基对分子器件整流性质的影响[J].中国物理 B,2010,19(4):2714-2720.
作者姓名:邓小清  周继承  张振华
作者单位:中南大学能源科学与工程学院, 长沙 410083;长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙 410004;中南大学能源科学与工程学院, 长沙 410083;长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙 410004
基金项目:国家自然科学基金(批准号:60771059)、湖南省教育厅科技项目(批准号:08A005,08C110)、湖南省科技厅科技项目(批准号:2009wk3042)和长沙理工大学重点学科建设项目资助的课题.
摘    要:利用基于非平衡Green函数加密度泛函理论的第一原理方法,研究了以S(Se)为端基的三并苯环分子夹在两半无限长的Au电极之间构成双探针系统的输运特性,发现体系具有较好的整流效应,最大整流系数达到6;用H取代右端同一位置的一个S(Se),整流行为明显减弱.分析认为,这种整流是由于分子两端与电极的耦合不对称,使正负偏压下分子能级的移动和空间轨道分布不同所致.比较而言,S端基与电极的耦合导致的整流比Se强.

关 键 词:电子输运,  整流行为,  非平衡Green函数方法

Effects of end groups on the rectifying performance in molecular devices
Deng Xiao-Qing,Zhou Ji-Cheng and Zhang Zhen-Hua.Effects of end groups on the rectifying performance in molecular devices[J].Chinese Physics B,2010,19(4):2714-2720.
Authors:Deng Xiao-Qing  Zhou Ji-Cheng and Zhang Zhen-Hua
Abstract:
Keywords:
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