| 二维热传导型半导体问题的一个二阶格式 |
| |
| 引用本文： | 杨青.二维热传导型半导体问题的一个二阶格式[J].数学物理学报(A辑),2001,21(Z1):683-692. |
| |
| 作者姓名： | 杨青 |
| |
| 作者单位： | 杨青（山东大学数学与系统科学学院,山东济南,250100） |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目和国家教育部博士点基金项目 |
| |
| 摘 要： | 热传导型半导体器件瞬态问题的数学模型由四个拟线性偏微分方程所组成的方程组的初边值问题来描述。其中电子位势方程是椭圆型的，电子和空穴浓度方程是对流扩散型的，温度方程为热传导型的。本文对二维热传导型半导体的一类混合初边值问题利用降阶法给出了一个二阶差分格式，并对其进行了详细的理论分析，得到了离散的犾２ 误差估计结果。
|
| 关 键 词： | 半导体 初边值问题 降阶法 二阶差分格式 误差估计 |
| 修稿时间： | 2000年11月7日 |
Finite Difference Method and Analysis For Two-dimensional Semiconductor Device of Heat Conduction |
| |
| Yang Qing.Finite Difference Method and Analysis For Two-dimensional Semiconductor Device of Heat Conduction[J].Acta Mathematica Scientia,2001,21(Z1):683-692. |
| |
| Authors: | Yang Qing |
| |
| Abstract: | The mathematical model of the two- dimensional semiconductor devices of heat condition is described by a system of four quasilinear partial differential equations for ini- tial boundary value problem.One equation in elliptic form is for the electric potential;two equations of convection- dominated diffusion type are for the electron and hole concentra- tion;and one heatconduction equation is for temperature.A scheme that has convergence rate of second orderis derived by the method of reduction of orderforthis system,and the analysis of convergence is presented. |
| |
| Keywords: | Semiconductor Initial boundary value problem Finite difference method |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《数学物理学报(A辑)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《数学物理学报(A辑)》下载免费的PDF全文 |
