硅键合的实现及键合质量检测

通过大量实验并对硅高温键合的机理进行研究发现,键合高温处理温度和时间是实现良好键合的关键。通过对键合处理温度和时间的优化,已成功地实现了直径为1.5英寸硅片的大面积、均匀键合,键合体抗拉强度达100kg/cm~2,中间氧化层厚度在自然氧化层与2μm之间。通过预刻键合界面测试图形和分割解剖键合片,证实了红外热像技术检测键合界面空洞的可靠性,对键合不良区域的分辨率为2×2mm~2。