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| RPA与G矩阵的偏离能壳性 | |
| 作者姓名： | 杨善德 朗思新 王克协 吴式枢 |
| 作者单位： | 吉林大学物理系，吉林大学物理系，吉林大学物理系，吉林大学物理系 |
| 摘 要： | 本文考察了G矩阵的偏离能壳性对RPA的影响, 在以下四种情况下计算了16O的单粒子单空穴激发TDA与RPA谱: (Ⅰ)假定每个G矩阵元都可取成在能壳上的值; (Ⅱ)严格顾及了G矩阵的偏离能壳性; (Ⅲ)考虑了自屏蔽效应, 但G矩阵元均取在能壳上的值; (Ⅳ)G矩阵的偏离能壳性和自屏蔽效应都顾及了.发现例如T=0的第一个0+态能谱分别是(单位: MeV) |
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