| 运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体 |
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| 引用本文： | 詹琳,苏小平,张峰翊,李金权.运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体[J].人工晶体学报,2008,37(5):1056-1059. |
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| 作者姓名： | 詹琳 苏小平 张峰翊 李金权 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学材料有限公司,北京,100088 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶.本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统.这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面.
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| 关 键 词： | 数值模拟 VGF法 固液界面 GaAs |
Use of Numerical Modeling for Improved of VGF-growth GaAs Crystals |
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| ZHAN Lin,SU Xiao-ping,ZHANG Feng-yi,LI Jin-quan.Use of Numerical Modeling for Improved of VGF-growth GaAs Crystals[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(5):1056-1059. |
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| Authors: | ZHAN Lin SU Xiao-ping ZHANG Feng-yi LI Jin-quan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs |
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