|
|||||
|
|
| 化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料 | |
| 引用本文： | 孙殿照,阎春辉,国红熙,朱世荣,黄运衡,曾一平,孔梅影.化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料[J].微纳电子技术,1991(6). |
| 作者姓名： | 孙殿照 阎春辉 国红熙 朱世荣 黄运衡 曾一平 孔梅影 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学开放实验室 北京 100083 |
| 摘 要： | 在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280cm~2/V·s,μ_(77K)=5000cm~2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。 |
| 关 键 词： | 化合物半导体 量子阱 化学束外延 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |