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热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响
引用本文:刘金铭,赵小如,赵亮,张安,王丹红,邵继峰,曹萌萌,常晓. 热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(5): 1130-1135
作者姓名:刘金铭  赵小如  赵亮  张安  王丹红  邵继峰  曹萌萌  常晓
作者单位:西北工业大学理学院应用物理系,西安,710072
摘    要:采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜.实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明, 500 ℃预烧550 ℃空气退火的薄膜,经过550 ℃,1×10-2 Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3 Ω· cm,可见光范围内的平均透过率约为85;.

关 键 词:溶胶-凝胶法  Al掺杂ZnO(ZAO)  热处理  晶体结构  光电性能,

Influence of Thermal Treatment on the Crystal Structure and Optical and Electrical Properties of Al-doped ZnO Films
LIU Jin-ming,ZHAO Xiao-ru,ZHAO Liang,ZHANG An,WANG Dan-hong,SHAO Ji-feng,CAO Meng-meng,CHANG Xiao. Influence of Thermal Treatment on the Crystal Structure and Optical and Electrical Properties of Al-doped ZnO Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(5): 1130-1135
Authors:LIU Jin-ming  ZHAO Xiao-ru  ZHAO Liang  ZHANG An  WANG Dan-hong  SHAO Ji-feng  CAO Meng-meng  CHANG Xiao
Abstract:
Keywords:
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