| GaPN混晶的瞬态发光特性 |
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| 引用本文： | 高玉琳,吕毅军,郑健生,ZHANG Yong,MASCARENHAS A,XIN H-P,TU C W.GaPN混晶的瞬态发光特性[J].发光学报,2005,26(1):77-82. |
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| 作者姓名： | 高玉琳 吕毅军 郑健生 ZHANG Yong MASCARENHAS A XIN H-P TU C W |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,福建,厦门,361005;National Renewable Energy Laboratory, USA;Department of Electrical and Computer Engineering , University of California, USA |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;厦门大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究，揭示了在低组分下N杂质从NNi对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变。在较低组分下，样品的发光由NNi对束缚激子及其声子伴线构成，从NN1到NN4的衰减时间分别在90～30ns变化。当组分提高到x～1．3％以上时，样品的发光呈现出一个宽带，并按单指数规律衰减，辐射复合寿命大约在数十个纳秒量级，且随着N组分的增加，寿命相对减小；但在最高组分(x～3．1％)时，其寿命仍与NN4束缚激子的寿命相当(～30ns)，说明GaP1-xNx混晶新形成的杂质带仍然保持束缚激子较长的辐射复合寿命。且该杂质带低能端载流子的寿命比高能端载流子的寿命长，导致了其时间分辨谱向低能端的移动。同时在低组分样品的时间分辨谱的测量中，直接观察到了从较浅NN对束缚激子向较深NN对束缚激子的能量传输现象。
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| 关 键 词： | GaPN混晶 时间分辨谱 能量传输 |
| 文章编号： | 1000-7032(2005)01-0077-06 |
| 修稿时间： | 2004年4月20日 |
Transient Photoluminescence of GaP1 -xNx Alloys |
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| GAO Yu-lin,LU Yi-jun,ZHENG JIAN-sheng,ZHANG Yong,MASCARENHAS A,XIN H-P,TU C W.Transient Photoluminescence of GaP1 -xNx Alloys[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(1):77-82. |
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| Authors: | GAO Yu-lin LU Yi-jun ZHENG JIAN-sheng ZHANG Yong MASCARENHAS A XIN H-P TU C W |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaPN alloy time-resolved spectra energy transfer |
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