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BiOI/g-C3N4修饰电极伏安法检测磺胺甲噁唑
引用本文:武天恒,刘蕊,韩雪,刘日嘉,孙源.BiOI/g-C3N4修饰电极伏安法检测磺胺甲噁唑[J].分析试验室,2024(1):1-8.
作者姓名:武天恒  刘蕊  韩雪  刘日嘉  孙源
作者单位:哈尔滨商业大学药学院药物工程技术研究中心
基金项目:国家自然科学基金(42207266);;黑龙江省自然科学基金-联合引导项目(LH2022B011);
摘    要:通过热聚合法高温煅烧尿素得到g-C3N4纳米片,再以溶剂热法得到Bi OI/g-C3N4复合材料,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、红外光谱(FT-IR)等手段对Bi OI/g-C3N4纳米复合材料的微观结构和形貌进行了表征。通过滴涂法将Bi OI/g-C3N4复合材料修饰在玻碳电极(GCE)表面,构建了用于快速检测磺胺甲噁唑(SMX)的电化学传感平台,通过循环伏安(CV)和差分脉冲伏安(DPV)技术对SMX进行电化学分析,峰值电流随SMX浓度呈线性增加,线性范围为5~1000μmol/L,检出限为0.025μmol/L。采用加标回收法测定自来水样品中的SMX,加标回收率为90.0%~103.4%。

关 键 词:g-C3N4纳米片  电化学传感器  磺胺甲噁唑
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