集电极截断的晶体管

在制作双极逻辑集成电路中,集电区的掺杂度需要折衷。高掺杂时在发射极下做一低阻通道,低掺杂时在整个基极一集电极结上做一特定电容。实际的折衷掺杂度通常为10~(16)原子/厘米~3。英国马拉德实验室采用了比其他低,比紧挨发射极下的基极高的掺杂度。实验室制成的晶体管掺杂度为10~(16)原子/厘米~3,刚好低于发射极,而集电极体渗杂度降到10~(15)原子/厘米~3。这将集电极-基极电容降低约一半,也降低了集电极与隔离槽接触的电容。