硅中δ掺杂的新进展 |
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引用本文: | 蒋最敏.硅中δ掺杂的新进展[J].物理,1996,25(11):658-661. |
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作者姓名: | 蒋最敏 |
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作者单位: | 复旦大学物理系,复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
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摘 要: | δ掺杂Si材料是一种新型半导体材料,它是利用杂质工程和能带工程的结合来调节半导体的性质的。它的许多物质为低维半导体系统的研究开辟了一个新领域,同时正是这些物理特性使得该材料在硅基光电子晶件,电子器件研制中具有广阔的应用前景,文章介绍了硅中δ掺杂方面的研究新进展。
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关 键 词: | δ掺杂 硅基材料 分子束外延 |
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