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| 双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究 | |
| 作者单位： | ;1.四川大学电子信息学院;2.中国科学院光电技术研究所 |
| 摘 要： | 为了了解在抛光过程中抛光盘位置对光学元件面形的影响,对一种双轴式平面研磨抛光运动过程进行了分析。从Preston方程出发,推导了去除函数的表达式,研究了抛光盘的摆幅及偏心距离对元件的去除量分布的影响。通过定量计算得知,在加工转速不变的情况下,增大抛光盘的摆幅,元件不同圆周上的去除量也不同。增大偏心距,元件的去除量增大,不论抛光盘相对元件的位置如何改变,回转中心的去除量总是最大。 |
| 关 键 词： | 平面研磨 去除函数 抛光盘摆幅 偏心距 去除量 |
Study on the influence of the relative position of the polishing pad to the removal quantity in two-axis lapping/polishing mode |
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| Keywords: | |