| 基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长技术 |
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| 引用本文： | 周谦,杨谟华,王向展,李竞春,罗谦.基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长技术[J].微电子学,2013,43(1):125-129. |
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| 作者姓名： | 周谦 杨谟华 王向展 李竞春 罗谦 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 |
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| 摘 要： | 针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X射线衍射、透射电子显微镜和方块电阻等测试.结果表明,采用快速热退火,可将单晶Ge衬底中的Sn原子激发至替位式位置,形成GeSn合金.当退火温度为400℃时,Sn原子激活率为100％,其峰值浓度固定为1×1021 cm-3,与Sn的初始注入剂量无关.该技术与现有CMOS工艺兼容,附加成本低,适用于单轴压应变Ge沟道MOSFET的大规模生产.
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| 关 键 词： | 锗锡合金 应变锗沟道 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 离子注入 快速热退火 |
GeSn Alloy Growth Using Ion Implantation and Rapid Thermal Anneal |
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| ZHOU Qian,YANG Mohu,WANG Xiangzhan,LI Jingchun,LUO Qian.GeSn Alloy Growth Using Ion Implantation and Rapid Thermal Anneal[J].Microelectronics,2013,43(1):125-129. |
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| Authors: | ZHOU Qian YANG Mohu WANG Xiangzhan LI Jingchun LUO Qian |
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| Institution: | (School of Microelectronics and Solid-State Electronics,Univ.of Elec.Sci.& Technol.of China,Chengdu 610054,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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