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硅纳米线的表面掺杂效应及应用
引用本文:廖凡,黄慧,康振辉,刘阳,邵名望.硅纳米线的表面掺杂效应及应用[J].化学教育,2020,41(8):105-107.
作者姓名:廖凡  黄慧  康振辉  刘阳  邵名望
作者单位:苏州大学纳米科学技术学院 苏州大学功能纳米与软物质研究院 江苏苏州 215123
摘    要:纳米材料具有较大的比表面积,表现出与块体材料不同的性质。通过实验证明氢负载的硅纳米线能够加速铜氧化过程。这一过程可以用表面掺杂效应进行解释。这种由于尺寸的减小引起化学性质改变的现象--表面掺杂,有望能够在化学的各个领域得到广泛应用。

关 键 词:  氧化  硅纳米线  表面掺杂

The Surface Doping Effect of Silicon Nanowires and Its Application
LIAO Fan,HUANG Hui,KANG Zhen-Hui,LIU Yang,SHAO Ming-Wang.The Surface Doping Effect of Silicon Nanowires and Its Application[J].Journal of Chemical Education,2020,41(8):105-107.
Authors:LIAO Fan  HUANG Hui  KANG Zhen-Hui  LIU Yang  SHAO Ming-Wang
Institution:College of Nano Science & Technology, Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou 215123, China
Abstract:Nanomaterials have large specific surface area and exhibit different properties from bulk materials.In this paper,the experiments demonstrate that the hydrogen terminated silicon nanowires can accelerate the oxidation rate of copper.This process may be explained by the surface doping effect.Surface doping is a phenomenon of chemical property changes caused by size decrease of materials,which we hope may find wide applications in various fields of chemistry.
Keywords:copper  oxidation  silicon nanowires  surface dopoing  
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