| Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光 |
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| 引用本文： | 刘奇斌,张楷亮,王良咏,宋志棠,封松林.Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光[J].半导体学报,2006,27(z1):161-164. |
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| 作者姓名： | 刘奇斌 张楷亮 王良咏 宋志棠 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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中国科学院资助项目
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上海市应用材料科技合作共同计划
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中国博士后科学基金
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上海市科委科技计划
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美国SST公司资助项目 |
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| 摘 要： | 从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态.在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理.自制碱性抛光液,对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光,用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析.结果表明,通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构.
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| 关 键 词： | Ge2Sb2Te5 相变存储器 化学机械抛光 电化学 化学特性 化学机械抛光 Slurry Polishing Film Characterization 填充结构 分析 碱性抛光液 自制 反应机理 腐蚀 形状相似 扫描曲线 过程 活化状态 转变 钝化行为 表现 结果 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0161-04 |
| 修稿时间： | 2005年12月27日 |
CMP and Electrochemical Characterization of Ge2Sb2Te5 Film in Polishing Slurry |
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| Liu Qibin,Zhang Kailiang,Wang Liangyong,Song Zhitang,Feng Songlin.CMP and Electrochemical Characterization of Ge2Sb2Te5 Film in Polishing Slurry[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):161-164. |
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| Authors: | Liu Qibin Zhang Kailiang Wang Liangyong Song Zhitang Feng Songlin |
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| Keywords: | |
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