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| 晶片研磨速率及损伤层的研究 | |
| 引用本文： | 王志芳.晶片研磨速率及损伤层的研究[J].红外与激光工程,2006,35(Z5). |
| 作者姓名： | 王志芳 |
| 摘 要： | 现代光电器件不仅要求有较高的平面度、样品平行度以及厚度,还要求有低损伤、高质量的加工表面.为了达到这个目的,对不同条件下的研磨速率及所产生的损伤层进行研究,并制定合理的研磨工序是必需的.叙述了研磨的本质及损伤层的产生,研究了晶片减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,为制定合理的研磨工序提供了依据. |
| 关 键 词： | 光电器件 损伤层 研磨 本质 |
Research on gringding and dislocations of wafer |
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| WANG Zhi-fang.Research on gringding and dislocations of wafer[J].Infrared and Laser Engineering,2006,35(Z5). | |
| Authors: | WANG Zhi-fang |
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