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ZnGeP2的多晶合成与单晶生长研究
引用本文:赵 欣,朱世富,赵北君,陈宝军,孙永强. ZnGeP2的多晶合成与单晶生长研究[J]. 无机化学学报, 2009, 25(1): 99-103
作者姓名:赵 欣  朱世富  赵北君  陈宝军  孙永强
作者单位:四川大学材料科学与工程学院,成都,610064
基金项目:国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863计划) 
摘    要:采用富P配料工艺,通过改进的单温区合成法(MSTZM)合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料。用改进垂直布里奇曼法(MVBM)生长出尺寸为Φ20mm×30mm的ZnGeP2单晶体。经X射线衍射分析、红外光谱分析、ZC36高阻仪测试表明:晶体完整性好,具有黄铜矿结构,晶格常数a=b=0.5463nm,c=1.0709nm。晶体的透光范围为0.65~12.5μm。厚度为2mm的晶片在2~12μm范围内的平均红外透过率达55%以上,电阻率为6×107Ω·cm,计算2.05μm和10.6μm处的吸收系数分别为0.017cm-1和0.21cm-1。

关 键 词:磷锗锌  改进垂直布里奇曼法  晶体生长  红外光谱

Polycrystal Synthesis and Single Crystal Growth of ZnGeP2
ZHAO Xin,ZHU Shi-Fu,ZHAO Bei-Jun,CHEN Bao-Jun and SUN Yong-Qiang. Polycrystal Synthesis and Single Crystal Growth of ZnGeP2[J]. Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2009, 25(1): 99-103
Authors:ZHAO Xin  ZHU Shi-Fu  ZHAO Bei-Jun  CHEN Bao-Jun  SUN Yong-Qiang
Affiliation:School of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064,School of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064,School of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064,School of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064 and School of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064
Abstract:
Keywords:ZnGeP2  MVBM  crystal growth  IR spectroscopy
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