| InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化 |
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| 引用本文： | 邓洪海,杨波,夏辉,邵海宝,王强,王志亮,朱友华,黄静,李雪,邵秀梅,龚海梅.InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化[J].光子学报,2018(3). |
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| 作者姓名： | 邓洪海 杨波 夏辉 邵海宝 王强 王志亮 朱友华 黄静 李雪 邵秀梅 龚海梅 |
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| 作者单位： | 南通大学电子信息学院;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室; |
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| 摘 要： | 采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As短波红外探测器盲元产生的原因,利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟,并利用制备的Au/P-In_(0.52)Al_(0.48)As传输线结构芯片对P电极的欧姆接触进行优化.研究结果表明,P电极与扩散区外的N~--In_(0.52)Al_(0.48)As帽层形成导电通道导致了盲元的产生,优化后Au与P-In_(0.52)Al_(0.48)As帽层之间具有更低的比接触电阻为3.52×10~(-4)Ω·cm~(-2),同时Au在高温快速热退火过程中的流动被抑制,从而降低了盲元产生的概率.
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